- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.312nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT29S50L、AOB29S50L、AOTF29S50L和AOTF29S50采用先进的αMOS高压工艺制造,旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容储能(EOSS),并保证具有雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- AOTF4S60
- AOU3N60
- AOUS66616
- AOW10N65
- AOW11S65
- VDB2AV0B-00000-000
- AMESP100-48S277NZ-P
- AMESP320-12S277NZ
- AMESP320-5S277NZ-Q
- VDB2HYDC-UBW00-0
- VE-B6Y-CU
- AMESP600-27SMNZ
- AMESP75-24S277NZ-Q
- VDB2S00B-AZC00-000
- AMFC47-3NZ-360
- AMFE305150-LN42-STD-48
- AMFW110-0.9NZ-105
- VDB2UJVC-B7C12-000
- VDB2UPPB-GAC3H-1A8
- AMFW24-1.25NZ-STD
- AMFW24-1.25NZ-STD-48