商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.312nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT482L/AOB482L采用SDMOS沟槽技术制造，该技术将出色的 RDS(on) 与低栅极电荷和低Qrr相结合。其结果是在可控的开关特性下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。