商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A；105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.87nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 当VGS为 - 10 V、ID为 - 20 A时，RDS(ON) 小于 5 mΩ
- 当VGS为 - 4.5 V、ID为 - 15 A时，RDS(ON) 小于 7.5 mΩ
- 高开关速度
- 改善的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤）