商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.775nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- RDS(ON)（VGS = 10V，ID = 10A 时）<6mΩ
- RDS(ON)（VGS = 4.5V，ID = 8A 时）<9mΩ
- 高开关速度
- 改善的 dv/dt 能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 通过 AEC - Q101 认证
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 符合 IEC 61249 标准的绿色模塑化合物