- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏极电流受最大结温限制。
- RθJA的值是在环境温度TA = 25°C的静止空气环境中测量得到的。
- 功耗PD基于T J(MAX) = 150°C，使用结到外壳的热阻计算得出，在使用额外散热装置的情况下，对于设置功耗上限更有用。
- 重复额定值，脉冲宽度受结温T J(MAX) = 150°C限制，额定值基于低频和占空比，以保持初始结温T J = 25°C。
- RθJA是结到外壳的热阻RθJC和外壳到环境的热阻之和。
- 图1至图6中的静态特性是使用小于300μs的脉冲、最大占空比0.5%获得的。
- 这些曲线基于结到外壳的热阻抗，该热阻抗是在器件安装到大型散热片上测量得到的，假设最大结温T J(MAX) = 150°C。SOA曲线提供单脉冲额定值。
- L = 60mH，IAS = 2A，VDD = 150V，起始结温T J = 25°C。
- Co(er)是一个固定电容，在VDS从0上升到80% V(BR)DSS时，其存储的能量与Coss相同。
- Co(tr)是一个固定电容，在VDS从0上升到80% V(BR)DSS时，其充电时间与Coss相同。
- 仅允许对引脚进行波峰焊。
- AOB280A60L
- AOB288L
- AOD5N40
- AMES100-12S277NZ-Q
- VD51S004-6ZZ00-000
- AMES100-12SNZ
- VD51S00B-AZCAH-100
- AMES100-5S277NZ-Q
- AMES15-15S277NZ-Q
- VD51S00C-AZB00-000
- AOC2012VAJC-19.4400C
- AMES15-48S277NZ-P
- AOCJY2-100.000MHZ-E
- AMES15-5S277NZ
- AOCJY3-100.000MHZ-E-SW
- VD51SW0C-AZD00-0
- AMES150-24SNZ-Q
- AOCJY4B-38.880MHZ-F
- AMES150-36S277NZ-P
- VD52S00C-00000-000
- AMES200-24SNZ-P