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WST6008
1个N沟道 耐压:30V 电流:154mA 停产
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- 描述
- N沟道 30V 0.3A 140mΩ SOT-523-3L，可应用于手表、手环、微型便携数码、保护板、通讯模块
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST6008
- 商品编号
- C719082
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 154mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 11.5pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
WST6008是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WST6008符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 1.6 × 1.6 mm小尺寸封装
- 栅极具备ESD保护
- 我们声明该产品的材料符合RoHS标准且无卤。
应用领域
- 电源管理负载开关
- 电平转换
- 便携式设备应用，如手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理（PDA）、视频游戏、手持电脑等。