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WST6045
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 5 VGS(th)(v) 2 RDS(ON)(m?)@4.113V 45 Qg(nC)@4.5V 11.5 QgS(nC) 2.3 Qgd(nC) 2.2 Ciss(pF) 540 Coss(pF) 56 Crss(pF) 26
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST6045
- 商品编号
- C719089
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
WST6045是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST6045符合RoHS和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理
- 单节电池组保护