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WST2078
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.6A
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- 描述
- Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -4.5 VGS(th)(v) -0.5 RDS(ON)(m?)@4.129V 65 Qg(nC)@4.5V 9.5 QgS(nC) 2.5 Qgd(nC) 1.8 Ciss(pF) 600 Coss(pF) 68 Crss(pF) 57
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2078
- 商品编号
- C719091
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 275pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF；66pF |
商品概述
WST2078是高性能的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST2078符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步开关，适用于移动主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关