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WSD30L30DN33
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -32 VGS(th)(v) -1.8 RDS(ON)(m?)@4.177V 24 Qg(nC)@4.5V 20 QgS(nC) 1.1 Qgd(nC) 7.7 Ciss(pF) 1000 Coss(pF) 220 Crss(pF) 170
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L30DN33
- 商品编号
- C719099
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 29.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
WSD30L30DN33是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷。 WSD30L30DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS ，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关