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WSD20L50DN33
1个P沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -50 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.172V 9 Qg(nC)@4.5V 25 QgS(nC) 1.6 Qgd(nC) 11 Ciss(pF) 1620 Coss(pF) 320 Crss(pF) 290
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD20L50DN33
- 商品编号
- C719097
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 31.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
WSD20L50DN33是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 WSD20L50DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，且经过全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关