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WSD6040DN56
1个N沟道 耐压:60V 电流:36A
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- 描述
- WSD6040DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSD6040DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD6040DN56
- 商品编号
- C719102
- 商品封装
- DFN-8-EP(6.1x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 15.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD6040DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD6040DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，通过全功能可靠性认证，确保100% EAS。
商品特性
- 提供无铅和绿色环保器件（符合RoHS标准）
- 100%进行UIS和Rg测试
- 可靠耐用
- 湿气敏感度等级为MSL1（符合JEDEC J-STD-020D标准）
应用领域
- 次级侧同步整流
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 负载开关