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WSD60N10GDN56
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD60N10GDN56
- 商品编号
- C719101
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.604nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 362pF |
商品概述
WSD60N10GDN56是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD60N10GDN56符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证耐雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电视转换器电源管理-DC-DC转换器-LED电视背光源