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WST2337A
1个P沟道 耐压:15V 电流:4.8A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -15 VGS(V) 12 ID(A)Max. -4.8 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.36V 30 Qg(nC)@4.5V 7.8 QgS(nC) 1.2 Qgd(nC) 1.6 Ciss(pF) 738 Coss(pF) 280 Crss(pF) 190
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2337A
- 商品编号
- C719087
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
WST2337A是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WST2337A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑（MB）、上网本（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步小功率开关应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关