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WST6003
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.35A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 6 ID(A)Max. 0.3 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.17V 800 Qg(nC)@4.5V 3 QgS(nC) 1 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) - Coss(pF) - Crss(pF) -
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST6003
- 商品编号
- C719084
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@2.5V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET：额定电压1.8 V
- 栅源极静电放电保护：2000 V
- 高端开关
- 低导通电阻：1.2 Ω
- 低阈值：0.8 V（典型值）
- 快速开关速度：14 ns
- S前缀适用于汽车及其他对产地和变更控制有特殊要求的应用；符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关，适用于手机、寻呼机