WST6002
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- WST6002是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST6002符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST6002
- 商品编号
- C719083
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 9pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
WST6002是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST6002符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 高速开关
- 提供绿色环保器件
- 静电防护：2KV
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关