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WST2005
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
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- 描述
- H 是采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件特别适用于低电压应用，尤其适用于电池供电电路，其小巧纤薄的外形可节省 PCB 占用空间。符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2005
- 商品编号
- C719081
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 472pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 71pF |
商品概述
H 是采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件特别适用于低电压应用，尤其适用于电池供电电路，其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。-符合 RoHS 标准
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-提供环保器件
应用领域
- 高频负载点同步：适用于 MB/NB/UMPC/VGA 的小功率开关
- 便携式设备的开关和电池开关
- 负载开关