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NDS7002A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NDS7002A

1个N沟道 耐压:60V

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描述
此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻,同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用,可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用,如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NDS7002A
商品编号
C74715
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)280mA
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)50pF@25V
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-65℃~+150℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)11pF

应用领域

  • 微处理器系统
  • 计算机
  • 控制器
  • 智能仪
  • 汽车系统

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

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