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NDS7002A
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS7002A
- 商品编号
- C74715
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
UTC 1N60-KW是一款高压MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高稳健的雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON) ≤ 15Ω，条件为栅源电压VGS = 10V，漏极电流ID = 0.5A
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高稳健性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效AC - DC转换器
- 桥接电路