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NTGD3148NT1G
2个N沟道 耐压:20V 电流:3.5A
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- 描述
- 功率 MOSFET，双 N 沟道，20V，70mΩ，TSOP6 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGD3148NT1G
- 商品编号
- C77713
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- 低阈值电平，VGS(th) < 1.5 V
- 低栅极电荷（3.8 nC）
- 采用前沿沟槽技术实现低RDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 这是一款无铅器件
应用领域
- DC-DC转换器（降压和升压电路）
- 低端负载开关
- 针对便携式设备（如手机、数码相机、媒体播放器等）中的电池和负载管理应用进行优化
- 电池充电和保护电路