温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS123LT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS123LT1G
- 商品编号
- C78755
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 170mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 20pF @ 25V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6 欧姆 @ 100mA，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
--官网介绍--
Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23
特性
- Pb-Free Packages are Available
官网链接：https://www.onsemi.cn/PowerSolutions/product.do?id=BSS123L
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交100+单