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FDN340P
1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN340P
- 商品编号
- C75469
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 779pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF |
商品概述
这款 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺。它已针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 2.4 A，-20 V。栅源电压 (VGS) = -4.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 52 mΩ
- 栅源电压 (VGS) = -2.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 70 mΩ
- 栅源电压 (VGS) = -1.8 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 100 mΩ
- 开关速度快
- 静电放电 (ESD) 保护二极管
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻 (RDS(ON))
- SuperSOT -3 在相同封装尺寸下，提供低漏源导通电阻 (RDS(ON))，且功率处理能力比 SOT23 高 30%
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护