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NTD25P03LT4G
1个P沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- 适用于低压高速开关应用，且可承受雪崩和换相模式下的高能量。 源极到漏极二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD25P03LT4G
- 商品编号
- C76463
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@5.0V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |