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FQD2N100TM
1个N沟道 耐压:1000V 电流:1.6A
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- 描述
- 此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD2N100TM
- 商品编号
- C74765
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V,0.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 1.6 A、1000 V，RDS(on) = 9 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 0.8 A
- 低栅极电荷（典型值12 nC）
- 低Crss（典型值5 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器