IRFR3607TRPBF
1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
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- 描述
- N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR3607TRPBF
- 商品编号
- C74775
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,46A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：56A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3070pF @ 50V
功率 - 最大值：140W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：56A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3070pF @ 50V
功率 - 最大值：140W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
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