- 引脚图
- 焊盘图
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IRFR5305PBF
P沟道 55V 31A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR5305PBF
- 商品编号
- C79370
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET所闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D-Pak封装设计用于采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
-超低导通电阻-表面贴装(IRFR5305)-直引脚(IRFU5305)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定值-无铅