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IRFB5615PBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:35A
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- 描述
- 数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFB5615PBF
- 商品编号
- C79992
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.861克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,21A | |
| 耗散功率(Pd) | 144W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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