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IRFL024ZTRPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:5.1A
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- 描述
- 这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFL024ZTRPBF
- 商品编号
- C80625
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57.5mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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