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BSS169H6327

1个N沟道耐压:100V 电流:0.17A

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描述: N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中，“XTSA1”那是原厂的内部型号。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSS169H6327
商品编号: C83053
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.034克(g)

商品参数

N-channel N沟道MOS 汽车级工作温度区间

Depletion mode
dv/dt rated
Available with VGS(th) indicator on reel
Halogen-free according to AEC61249-2-21
Qualified according to AEC Q101

Continuous drain current:Id=0.17A@25℃

Pulsed drain current :Id,pulse=0.68A

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	170mA
	导通电阻(RDS(on))	12Ω@10V,0.17A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	360mW
	阈值电压(Vgs(th))	-
	输入电容(Ciss)	68pF@10V
	反向传输电容(Crss)	7pF@10V
	工作温度	-55℃~+150℃