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BSP170PH6327
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.9A
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- 描述
- P沟道,-60V,-1.9A,0.3Ω@-10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP170PH6327
- 商品编号
- C75283
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V,1.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据AEC Q101标准认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤