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DMN2075U-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合A50-Q191高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2075U-7
- 商品编号
- C75291
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,3.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 594.3pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 57.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：594.3pF @ 10V
功率 - 最大值：800mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：594.3pF @ 10V
功率 - 最大值：800mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
优惠活动
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起订量：10 个3000个/圆盘
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