DMN2004K-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA
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描述
N沟道,20V,630mA
- 品牌名称DIODES(美台)
商品型号
DMN2004K-7商品编号
C75285商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 630mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 900mΩ@1.8V,410mA | |
功率(Pd) | 350mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 900pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 150pF@16V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@16V | |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):630mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):150pF @ 16V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):630mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):150pF @ 16V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
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