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DMN2004K-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA
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- 描述
- N沟道，20V，630mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2004K-7
- 商品编号
- C75285
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V；700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款P沟道逻辑电平MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持低栅极电荷以实现卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。 这些器件非常适合用于便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = - 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 200 mΩ
-
- 1.5 A， - 30 V。在栅源电压（VGS） = - 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 125 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为4 nC）
- 高性能沟槽技术，可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 行业标准SOT - 23封装的高功率版本。引脚排列与SOT - 23相同，功率处理能力提高30%
- SuperSOT - 3
应用领域
- 便携式电子应用：负载开关和电源管理
- 电池充电电路
- DC/DC转换
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