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IRLML6402GTRPBF
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
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- 描述
- P沟道 20V 3.7A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLML6402GTRPBF
- 商品编号
- C77815
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用先进的处理技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理。 标准SOT - 23封装中集成了热增强型大焊盘引线框架，从而生产出业内占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3的封装，非常适合印刷电路板空间有限的应用。Micro3的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。其热阻和功耗表现堪称最佳。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低外形（<1.1mm）
- 快速开关
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 电池和负载管理-便携式电子产品-PCMCIA卡