USBUF02W6

USB规范要求上游端口用D+和D-线到Vbus的上拉电阻终端。USB系统实现中，辐射和传导EMI需符合FCC规定。计算设备需要进行ESD敏感性测试。USBUF提供推荐的线路终端，同时实现低通滤波器以限制EMI水平，并提供超过IEC61000-4-2 level4标准的ESD保护。该器件采用SOT323-6L封装，比标准SOT23小50%。对于使用USB的设备类型，较难通过的测试通常是辐射EMI测试，因此USBUF器件旨在最小化辐射EMI。USB的差分信号（D+和D-）对辐射或传导EMI的贡献不大，因为两根导体的磁场相互抵消。PC环境内部噪声很大，设计人员必须最小化来自不同来源的噪声耦合。D+和D-不得靠近高速线路（时钟尖峰）。感应共模噪声可通过使USB信号对相互平行布线，并在从USB控制器到USBUF器件的信号对两侧运行接地保护线来最小化。如果可能，将USBUF器件物理上靠近USB连接器放置，USB控制器和USB连接器之间的距离必须最小化。47pF（Ct）电容用于将高频能量旁路到地并进行边缘控制，放置在驱动芯片和系列终端电阻（Rt）之间。Ct和Rt都应尽可能靠近驱动芯片放置。USBUF通过其低通滤波器结构确保对电磁和射频干扰的过滤保护，该滤波器的特征参数包括截止频率、插入损耗、高频抑制。除了终端和EMC兼容性要求外，计算设备还需要进行ESD敏感性测试，该测试在IEC61000-4-2中有描述，已在欧洲实施，要求设备耐受ESD事件并保持运行无需用户干预。USBUF特别优化用于ESD保护，ESD保护基于使用钳位器件，公式为Vc l = VBR + Rd·IPP。这种保护功能分为两个阶段：ESD冲击由第一阶段S1钳位，然后其剩余过电压通过电阻Rt施加到第二阶段，这种配置使输出端的电压非常低。为了很好地近似Vin和Vout阶段的剩余电压，给出典型动态电阻值Rd。考虑假设Rt>Rd、Rg>Rd和Rload>Rd，公式为Vin p u t = (Rg·VBR + Rd·Vg)/Rg，v o u p u t = (Rt·VBR + Rd·Vin p u t)/Rt。计算结果（Vg=8kV，Rg=330Ω（IEC61000-4-2标准），VBR=7V（典型值），Rd=1Ω（典型值））给出Vin p u t=31.2V，v o u p u t=7.95V，这证实了受保护器件两端的剩余电压非常低。

• 单片器件，带有USB上游端口推荐的线路终端
• 集成Rt系列终端和Ct旁路电容
• 集成ESD保护
• 小封装尺寸
• EMI/RFI噪声抑制
• 符合USB1.1标准
• ESD保护超过IEC61000-4-2 level4（空气放电±15kV，接触放电±8kV）
• 通过低通滤波器结构提供电磁和射频干扰过滤保护，特征参数包括截止频率、插入损耗、高频抑制
• 采用SOT323-6L封装，比标准SOT23小50%

• USB集线器的USB上游端口EMI滤波器和线路终端
• PC外设的USB上游端口EMI滤波器和线路终端