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AOD407
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD407
- 商品编号
- C75092
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.185nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOD407采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻性能，该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- VDS(V) = -60V
- ID = -12A (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 115mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 150mΩ (VGS = -4.5V)
- 100%进行UIS测试
- 100%进行RG测试