1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
- 5+: ¥1.7051 / 个
- 50+: ¥1.3823 / 个
- 150+: ¥1.244 / 个
- 500+: ¥1.0714 / 个
- 2500+: ¥0.8761 / 个 (折合1圆盘2190.25元)
- 5000+: ¥0.83 / 个 (折合1圆盘2075元)
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¥1.3823 / 个 |
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¥1.244 / 个 |
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¥1.0714 / 个 |
2500+: |
¥0.8761 / 个 (折合1圆盘2190.25元) |
5000+: |
¥0.83 / 个 (折合1圆盘2075元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
功率(Pd) | 2.5W;50W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@10V,12A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.185nF@30V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):115 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1185pF @ 30V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)