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AOD4185L
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- P沟道
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD4185L
- 商品编号
- C77993
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOD4185/AOI4185采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装卓越的热阻性能，该器件非常适合大电流应用。
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = - 40V
- 漏极电流ID = - 40A（栅源电压VGS = - 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 15mΩ（栅源电压VGS = - 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 20mΩ（栅源电压VGS = - 4.5V）
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试！
- 100%进行了栅极电阻Rg测试！