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AON6411
1个P沟道 耐压:20V 电流:85A
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- 描述
- P沟道,-20V,-85A,2.5mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6411
- 商品编号
- C81007
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.395nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.91nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AON6411将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。