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BLM2301
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- P沟道,-20V,-3A,110mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLM2301
- 商品编号
- C81106
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大程度降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400 mA直流电流的应用，并能提供高达2 A的脉冲电流。这些产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V, ID = -3A
- VGS = -2.5V 时,RDS(ON) < 140 mΩ
- VGS = -4.5V 时,RDS(ON) < 110 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理