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CJ2324
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- N沟道,100V,2A,234mΩ@10V；较BSS123具有更大的额定电流
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ2324
- 商品编号
- C81053
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 234mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power SOT P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = -4.5 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 0.045 Ω
- -7.5 A、-30 V。栅源电压 (VGS) = -10 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 0.030 Ω
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻 (RDS(ON))
- 广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和电流处理能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-电池供电电路-直流电机控制