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CJT04N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:4A
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- 描述
- 这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJT04N15
- 商品编号
- C81507
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低 \mathsfRDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器