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CJT04N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:4A
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- 描述
- 这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJT04N15
- 商品编号
- C81507
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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