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FDV302P
1个P沟道 耐压:25V 电流:0.12A
- 描述
- P沟道,-25V,-0.12A,10Ω@-4.5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDV302P
- 商品编号
- C73054
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V,0.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 310pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低电压应用而设计，可替代数字晶体管。由于无需偏置电阻，这一只P沟道场效应管可替代多个带有不同偏置电阻的数字晶体管，如DTCx和DCDx系列。
商品特性
- -25 V，连续电流-0.12 A，峰值电流-0.5 A。VGS = -2.7 V时，RDS(ON) = 13 Ω；VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 10 Ω
- 极低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接工作。VGS(th) < 1.5 V
- 栅源齐纳二极管，增强ESD耐受性。人体模型>6kV
- 采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装
- 用一只DMOS场效应管替代多个PNP数字晶体管（DTCx和DCDx）