SN74CB3Q16211DLR

SN74CB3Q16211是一款高带宽FET总线开关，利用电荷泵提升传输晶体管的栅极电压，提供低且平坦的导通电阻（rₒₙ）。低且平坦的导通电阻可实现极小的传播延迟，并支持数据输入/输出（I/O）端口的轨到轨切换。该器件还具有低数据I/O电容，可最大程度减少数据总线上的电容负载和信号失真。SN74CB3Q16211专为支持高带宽应用而设计，提供了一种优化的接口解决方案，非常适合宽带通信、网络和数据密集型计算系统。 SN74CB3Q16211由两个12位总线开关组成，具有独立的输出使能（1OE、2OE）输入。它可以用作两个12位总线开关，也可以用作一个24位总线开关。当OE为低电平时，相关的12位总线开关导通，A端口与B端口相连，允许端口之间进行双向数据流传输。当OE为高电平时，相关的12位总线开关关断，A端口和B端口之间呈现高阻态。 该器件针对使用Iₒff的部分掉电应用进行了全面规格设计。Iₒff电路可防止器件掉电时产生破坏性电流回流。

• 高带宽数据路径（高达500 MHz）
• 器件上电或掉电时I/O可承受5 V电压
• 在工作范围内具有低且平坦的导通电阻（rₒₙ）特性（典型rₒₙ = 5 Ω）
• 数据I/O端口支持轨到轨切换：3.3 V VCC时可实现0 V至5 V切换；2.5 V VCC时可实现0 V至3.3 V切换
• 双向数据流，传播延迟近乎为零
• 低输入/输出电容可最大程度减少负载和信号失真（典型Cᵢₒ(ₒff) = 4 pF）
• 快速开关频率（最大fₒₑ = 20 MHz）
• 数据和控制输入提供下冲钳位二极管
• 低功耗（典型I = 1 mA）
• Vcc工作范围为2.3 V至3.6 V
• 数据I/O支持0 V至5 V信号电平（0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V、5 V）
• 控制输入可由TTL或5 V/3.3 V CMOS输出驱动
• Iₒff支持部分掉电模式操作
• 闩锁性能符合JESD 78 II类标准，超过100 mA
• ESD性能符合JESD 22标准：人体模型（A114 - B，II类）2000 V；带电器件模型（C101）1000 V
• 支持数字和模拟信号

• PCI接口
• 差分信号接口
• 内存交叉存取
• 总线隔离
• 低失真信号选通