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2SB1132 BAR
PNP 电流:1A 电压:32V
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- 描述
- 三极管 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 180-390 PNP,Vceo=-32V,Ic=-1A,hfe=180~390,丝印BAR
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2SB1132 BAR
- 商品编号
- C6454448
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 390@100mA,3V | |
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@500mA,50mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
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