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BSS138NH6327-MS
1个N沟道 耐压:55V 电流:300mA
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- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS138NH6327-MS
- 商品编号
- C6454465
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
AOD417是一款P沟道增强型功率效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺尤其能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低电压应用的电源管理DC - DC转换器。
商品特性
- -30V / -20A，RDS(ON) = 33mΩ（典型值）@VGS = -10V
- -30V / -10A，RDS(ON) = 52mΩ（典型值）@VGS = -4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- TO252封装设计
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 电源管理-DC/DC转换器-负载开关