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2N7002NXAKR-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2N7002NXAKR-MS
- 商品编号
- C6454473
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
RFD16N05L和RFD16N05LSM N沟道逻辑电平功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。RFD16N05L和RFD16N05LSM专为与逻辑电平（5V）驱动源配合使用而设计，应用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器以及双极晶体管的发射极开关等领域。通过特殊的栅极氧化物设计，该器件可在3V - 5V的栅极偏置下实现全额定电导，从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。
商品特性
- 60V、0.3A,VGS = 10V 时 RDS(ON) = 2.2Ω
- 改善 dv/dt 性能
- 快速开关
- 提供绿色环保器件
- 内置 G-S 静电保护二极管
- 静电防护能力高达 2KV
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED 照明