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BSS138K
1个N沟道 耐压:55V 电流:300mA
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- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2mΩ@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS138K
- 商品编号
- C6454468
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
3415是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 55V、0.3A,VGS = 10V 时,RDS(ON) = 1.2Ω
- 改善的 dv/dt 能力
- 快速开关
- 提供环保器件
- 内置 G-S ESD 保护二极管
- ESD 保护能力高达 2KV
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED 照明