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2V7002LT1G-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@10V,300mA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2V7002LT1G-MS
- 商品编号
- C6454470
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@30V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
优惠活动
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