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BSS138BK
1个N沟道 耐压:55V 电流:300mA
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- 描述
- MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2mΩ@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS138BK
- 商品编号
- C6454467
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
采用D2PAK封装的超安全工作区（SuperSOA）N沟道增强型MOSFET，工作温度可达175°C。PSMN8R9 - 100BSE具有低导通电阻（RDSon）和出色的线性模式（SOA）性能，可与最新的“热插拔”控制器配合使用，具备足够的鲁棒性以承受开启时的大冲击电流，低导通电阻可降低I²R损耗，在完全导通时实现最佳效率。
商品特性
- 雪崩额定，100%测试
- 低导通电阻，降低I²R传导损耗
- D2PAK封装
应用领域
- 热插拔-负载开关-软启动-电子保险丝-基于48V背板/电源轨的电信系统