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2SD1164 DAR
NPN 电流:1A 电压:32V
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- 描述
- 三极管 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@100mA,3V 180~390 NPN,Vceo=32V,Ic=1A,hfe=180~390,丝印DAR
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2SD1164 DAR
- 商品编号
- C6454449
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 180@100mA,3V | |
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@0.5A,50mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
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