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SFH6106-1X001T
DC输入 隔离电压(rms):5300V
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- 描述
- SFH610A（DIP）和 SFH6106（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器有一个砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 DIP - 4 或 SMD 封装。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SFH6106-1X001T
- 商品编号
- C6901
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.25V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5.3kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 70V | |
| 输出通道数 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA | |
| 上升时间(tr) | 2us | |
| 下降时间 | 2us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 40% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 80% | |
| 总功耗(Pd) | - | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
SFH610A（DIP）和 SFH6106（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，通过光学方式与硅平面光电晶体管探测器耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。 这些耦合器可端部堆叠，间距为 2.54 mm。 选择选项 6 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，在高达 400 VRMS 或直流的工作电压下提供加强绝缘。
商品特性
- 良好的电流传输比（CTR）线性度，取决于正向电流
- 隔离测试电压为 5300 VRMS
- 高集电极 - 发射极电压，VCEO = 70 V
- 低饱和电压
- 快速开关时间
- 低电流传输比（CTR）衰减
- 温度稳定性好
- 低耦合电容
- 可端部堆叠，间距为 0.100"（2.54 mm）
- 高共模干扰抗扰度
- 无铅（Pb）元件
- 符合 RoHS 2002/95/EC 和 WEEE 2002/96/EC 标准的元件
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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