温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIHP10N40D-E3

1个N沟道耐压:400V 电流:10A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHP10N40D-E3
商品编号: C6228109
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

N沟道12 V（漏源极）MOSFET，采用PowerPAK 1212 - 8封装。PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部外露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO - 8的优势融入更小的封装中，具备同等水平的热性能。其占地面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP - 8相比，可降低结温，还能使芯片效率提高约20%。单双版PowerPAK 1212 - 8与单双版PowerPAK SO - 8引脚输出相同，1.05 mm的低高度使其适用于空间受限的应用。

商品特性

-优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低容性开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关

应用领域

-消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	400V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	147W
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	526pF
	工作温度	-55℃~+150℃