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TN0620N3-G
1个N沟道 耐压:200V 电流:1A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN0620N3-G
- 商品编号
- C632580
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TN0620低阈值增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 微芯科技（Microchip）的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，尤其适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的场景。
商品特性
~~- 最大低阈值1.6V-高输入阻抗-典型低输入电容110 pF-快速开关速度-低导通电阻-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 逻辑电平接口(适用于TTL和CMOS)-固态继电器-电池供电系统-光伏驱动器-模拟开关-通用线路驱动器-电信开关