温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TP2640N3-G
1个P沟道 耐压:400V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是一种低阈值、增强模式（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TP2640N3-G
- 商品编号
- C632592
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@4.5V,150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |